光刻机简直就是国内所谓的“科技媒体”用来带节奏的神器呀！
ASML、Nikon这些都是商业公司，它们做出来产品就是为了出售换取利润，没有人会跟钱过不去呀。不仅台湾可以买，大陆也可以，ASML在2018年有20%的营收贡献就来自中国大陆。
光刻机是晶圆代工厂的必需，但不意味着有了机器就可以做出相应的工艺制程，光刻只是整个制造流程中的一个环节。给普通人一把顶级菜刀他就能做出米其林三星水平吗？
EUV光刻机受限这个是事实，但即使依内地龙头中芯国际目前的技术水平和经营状况，也根本用不到这种高大上的东西。本来也只订购了一台，估计是拿来观摩的吧……
EUV光刻工艺目前实现量产的也只有台积电的第二代7nm FF+和三星的7nm LPP，之前的工艺193nm ArF沉浸式DUV光刻机就足够了，无锡海力士已经装机了ASMLzui新的NXT：2000i DUV光刻机，新建的华虹6厂去年也装机了ASML当时的DUV光刻机旗舰NXT:1980Di
中芯国际自己技术太菜了，同样的设备台积电可以做到7nm，它的28nm工艺至今都不太成熟，营收贡献低的可怜（5%左右）；14nm FinFET 2019Q4才开始风险量产，正式量产不知道还要多久……所以不要什么都甩锅光刻机，正视技术水平差的事实吧。
EUV光刻技术本来就是当年美国牵头研发的，ASML的EUV光刻机中核心部件之一EUV光源来自于并购的美国公司Cymer。
第一、但凡是个芯片制造公司，你不管他是4英寸还是6英寸还是8，12英寸fab，光刻机是肯定有的，当然光刻机肯定是买的，所以买不到光刻机这种论调是错误的
第二、国内各大fab，包括SMIC，长存，长鑫，华虹，弘芯、积塔等，都能买到193nm的光刻机，只是现在zui新锐的EUV只有SMIC买了一台。
第三、台积电1988年就成立，并且开创了晶圆代工模式，到现在已经发展了30年了，成为当之无愧的行业老大，国内908，909，包括中芯国际，起步就远远晚于台积电，中间还遭遇了各种挫折，困难，打压。差距不拉大才怪了。中芯国际R&D部门才500号人，TSMC有6000号人，500人打6000人，你告诉我拿什么打？
但是你要知道，论产能，国内已经是全世界的15%左右了，预计3年后现在疯狂建设的FAB都投产的话，产能能占到全世界的20%，可以了。。。。。。这个差距其实没有想象中的这么大，毕竟排在中芯前面的是台积电，三星VSL，GF和UMC，2个中国台湾企业，一个半死不活的美国公司，和一个三星这个韩国硬养出的凤凰男。。。。。。。
大陆也可以买到光刻机，中芯目前除了euv光刻机，该有的设备全都有。台积电曾经用193光刻机做到N7，直到N5和N7 plus才用到了euv。
很多业外人士连14nm制程的定义代表什么都不知道，以为光刻机买来插上电就可以做出14nm，就在嚷嚷着大陆比不过台积电就是没有光刻机，反正光刻机是甩锅神器。
其实我个人认为光刻机只不过是打桩神器，定义了transistor的周期性。好比盖楼房，先打个桩再盖。先在X方向长PR，曝光，再长SiN做Mandrel Spacer，其实是用double patterning的方法做出SiN的Pitch，也就是用光刻机就定义了Fin Pitch，大概几十纳米。其次以SiN做HM，Etch出Fin的形状。再长STI OX到Fin底部，接着长Poly。然后去Y方向用光刻机定义Poly Pitch，也就是要让Poly架在Fin上面，也是几十纳米。用光刻机定义完Poly Pitch后，在Poly两侧长电介质材料，再把Poly掏空，剩下的Poly两侧电介质材料就是Gate的两个极板。在极板里边长金属，剩下的间隙就是栅间距14nm。中间无数步长各种材料，dep etch anneal cmp略。
当制程小到一定程度时，理论上靠Multi patterning还可以继续定义更小的Pitch，只是很麻烦，很不好控制，所以才需要euv光刻机。
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